產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：模具
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN
- 豐富的Vishay公司產(chǎn)品，Vishay芯片采購平臺(tái)
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SQUN702E-T1_GE3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：SQUN702E-T1_GE3
- 制造商：威世半導(dǎo)體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 和 P 溝道，共漏
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓（Vdss）：40V，200V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：30A（Tc），20A（Tc）
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：9.2 毫歐 @ 9.8A，10V，60 毫歐 @ 5A，10V，30 毫歐 @ 6A，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA，3.5V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：23nC，14nC，30.2nC @ 10V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1474pF，1450pF，1302pF @ 20V，100V
- 功率-最大值：48W（Tc），60W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝，可潤(rùn)濕側(cè)翼
- 封裝：模具
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