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NXPSC126506Q 圖片
  • 制造廠商:WeEn(瑞能)
  • 類別封裝:二極管 - 整流器 - 單,封裝:TO-220-2
  • 技術參數:SILICON CARBIDE POWER DIODE
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NXPSC126506Q 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:NXPSC126506Q
  • 制造商:WeEn Semiconductors(瑞能半導體)
  • 描述:SILICON CARBIDE POWER DIODE
  • 系列:二極管 - 整流器 - 單
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:有源
  • 二極管類型:碳化硅肖特基
  • 電壓-DC反向(Vr)(最大值):650V
  • 電流-平均整流(Io):12A
  • 不同If時電壓-正向(Vf):1.7V @ 12A
  • 速度:無恢復時間 > 500mA(Io)
  • 反向恢復時間(trr):0ns
  • 不同Vr時電流-反向泄漏:80μA @ 650V
  • 不同?Vr、F時電容:380pF @ 1V,1MHz
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-220-2
  • 供應商器件封裝:TO-220AC
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