產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：WeEn（瑞能）
- 類別封裝：二極管 - 整流器 - 單，封裝：TO-220-2
- 技術(shù)參數(shù)：SILICON CARBIDE POWER DIODE
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NXPSC126506Q 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：NXPSC126506Q
- 制造商：WeEn Semiconductors（瑞能半導體）
- 描述：SILICON CARBIDE POWER DIODE
- 系列：二極管 - 整流器 - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- 二極管類型：碳化硅肖特基
- 電壓-DC反向(Vr)（最大值）：650V
- 電流-平均整流(Io)：12A
- 不同If時電壓-正向(Vf)：1.7V @ 12A
- 速度：無恢復時間 > 500mA（Io）
- 反向恢復時間(trr)：0ns
- 不同Vr時電流-反向泄漏：80μA @ 650V
- 不同?Vr、F時電容：380pF @ 1V，1MHz
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-220-2
- 供應商器件封裝：TO-220AC
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