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- 制造廠商：Winbond（華邦）
- 類別封裝：存儲器，產品封裝：200-WFBGA
- 技術參數：IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
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W66BM6NBUAFI 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：W66BM6NBUAFI TR
- 制造商：Winbond Electronics（華邦電子）
- 描述：IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
- 產品系列：存儲器
- 包裝：剪切帶（CT）
- 系列：-
- 零件狀態：初步
- 存儲器類型：易失
- 存儲器格式：DRAM
- 技術：SDRAM - 移動 LPDDR4X
- 存儲容量：2Gb（128M x 16）
- 存儲器接口：LVSTL_11
- 時鐘頻率：1.6GHz
- 寫周期時間-字，頁：18ns
- 訪問時間：-
- 電壓-供電：1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V
- 工作溫度：-40°C ~ 95°C（TC）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 產品封裝：200-WFBGA
- W66BM6NBUAFI優勢代理貨源，國內領先的Winbond芯片采購服務平臺。
