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AFGHL50T65SQD 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-247-3 變式
  • 技術參數:AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE
  • 豐富的安森美公司產品,安森美芯片采購平臺
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AFGHL50T65SQD 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:AFGHL50T65SQD
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:Automotive, AEC-Q101
  • 零件狀態:有源
  • IGBT類型:溝槽型場截止
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):650V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):80A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):200A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,50A
  • 功率-最大值:268W
  • 開關能量:950μJ(開),460μJ(關)
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:102nC
  • 25°C時Td(開/關)值:20ns/81ns
  • 測試條件:400V,50A,4.7 歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):-
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-247-3 變式
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