產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT - 650 V 120 A FS3 FOR EV TR
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AFGY120T65SPD 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：AFGY120T65SPD
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：IGBT - 650 V 120 A FS3 FOR EV TR
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：溝槽型場截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：160A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：360A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.05V @ 15V，120A
- 功率-最大值：714W
- 開關(guān)能量：6.6mJ（開），3.8mJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：125nC
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：40ns/80ns
- 測試條件：400V，120A，5 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時間(trr)：107ns
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-247-3
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