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- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻，封裝：3-XFDFN
- 技術參數：RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3-ECSP1006
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EC3H02BA-TL-H 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：EC3H02BA-TL-H
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3-ECSP1006
- 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 零件狀態：停產
- 晶體管類型：NPN
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：10V
- 頻率-躍遷：7GHz
- 噪聲系數（dB，不同f時的典型值）：1dB @ 1GHz
- 增益：8.5dB
- 功率-最大值：100mW
- 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：120 @ 20mA，5V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：70mA
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：3-XFDFN
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