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- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：FET - 單，8-SMD
- 技術參數：MOSFET P-CH 100V 2A ECH8
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ECH8306-TL-E 技術參數詳情：
- 制造商產品型號: ECH8306-TL-E
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 功能總體簡述: MOSFET P-CH 100V 2A ECH8
- 系列: -
- FET 類型: MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET 功能: 邏輯電平柵極，4V 驅動
- 漏源極電壓（Vdss）: 100V
- 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）: 2A（Ta）
- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 225 毫歐 @ 1A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: -
- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 33nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 1600pF @ 20V
- 功率 - 最大值: 1.6W
- 安裝類型: 表面貼裝
- 產品封裝: 8-SMD，扁平引線
- 供應商器件封裝: 8-ECH
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