產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：FET - 陣列，8-SMD
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8
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ECH8620-TL-E 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號: ECH8620-TL-E
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 功能總體簡述: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8
- 系列: -
- FET 類型: N 和 P 溝道
- FET 功能: 邏輯電平門
- 漏源極電壓（Vdss）: 100V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）: 2A，1.5A
- 不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）: 260 毫歐 @ 1A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: -
- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 13.8nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 650pF @ 20V
- 功率 - 最大值: 1.3W
- 安裝類型: 表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝: 8-SMD，扁平引線
- 供應(yīng)商器件封裝: 8-ECH
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