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EMZ1DXV6T1G 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 陣列,封裝:SOT-563,SOT-666
  • 技術參數:TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563
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EMZ1DXV6T1G 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:EMZ1DXV6T1G
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563
  • 系列:晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 陣列
  • 零件狀態:停產
  • 晶體管類型:NPN,PNP
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):100mA
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):60V
  • 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降(最大值):400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA
  • 電流-集電極截止(最大值):500nA(ICBO)
  • 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V
  • 功率-最大值:500mW
  • 頻率-躍遷:180MHz,140MHz
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:SOT-563,SOT-666
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