產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：TO-252
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
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FDD306P 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：FDD306P
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：PowerTrench?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：P 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：12V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：6.7A（Ta）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：28 毫歐 @ 6.7A，4.5V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：21nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±8V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1290pF @ 6V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：52W（Ta）
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：TO-252
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