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- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：TO-252-5，DPak（4 引線 + 接片），TO-252AD
- 技術參數：MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252
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FDD3510H 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：FDD3510H
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產品系列：PowerTrench?
- 零件狀態：有源
- FET類型：N 和 P 溝道，共漏
- FET功能：邏輯電平門
- 漏源電壓（Vdss）：80V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：4.3A，2.8A
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：80 毫歐 @ 4.3A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：18nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：800pF @ 40V
- 功率-最大值：1.3W
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-252-5，DPak（4 引線 + 接片），TO-252AD
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