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產(chǎn)品參考圖片
FDG6301N-F085P 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 技術(shù)參數(shù):DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM
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FDG6301N-F085P 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號:FDG6301N-F085P
  • 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ONSEMI)
  • 描述:DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列:Automotive, AEC-Q101
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • FET類型:2 N-通道(雙)
  • FET功能:邏輯電平門
  • 漏源電壓(Vdss):25V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):220mA(Ta)
  • 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):4 歐姆 @ 220mA,4.5V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):0.4nC @ 4.5V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):9.5pF @ 10V
  • 功率-最大值:300mW
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • FDG6301N-F085P優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購服務(wù)平臺。
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