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FDI8441 圖片
  • 制造廠商：安森美
  • 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：I2PAK（TO-262）
  • 技術參數：MOSFET N-CH 40V 26A/80A I2PAK
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FDI8441 技術參數詳情：
  • 制造商產品型號：FDI8441
  • 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET N-CH 40V 26A/80A I2PAK
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 產品系列：PowerTrench?
  • 零件狀態：停產
  • FET類型：N 通道
  • 技術：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：40V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id)：26A（Ta），80A（Tc）
  • 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：2.7毫歐 @ 80A，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：280nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：15000pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：300W（Tc）
  • 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：通孔
  • 器件封裝：I2PAK（TO-262）
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