產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：8-MLP（3.3x3.3）
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
- 豐富的安森美公司產(chǎn)品，安森美芯片采購平臺
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價格
點擊下圖下載技術(shù)文檔
FDMC4435BZ-F126 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：FDMC4435BZ-F126
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：PowerTrench?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：P 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：8.5A（Ta），18A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：20 毫歐 @ 8.5A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：46nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2045pF @ 15V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.3W（Ta），31W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：8-MLP（3.3x3.3）
- FDMC4435BZ-F126優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購服務(wù)平臺。
芯片采購網(wǎng)專注整合國內(nèi)外授權(quán)onsemi代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購IC芯片，是國內(nèi)專業(yè)的芯片采購平臺