產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：12-PowerWDFN
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
- 豐富的安森美公司產(chǎn)品，安森美芯片采購平臺(tái)
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FDMD8900 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：FDMD8900
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：19A，17A
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：4 毫歐 @ 19A，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：2605pF @ 15V
- 功率-最大值：2.1W
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：12-PowerWDFN
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