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熱門產(chǎn)品型號
產(chǎn)品參考圖片
FDMD8900 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:12-PowerWDFN
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
  • 豐富的安森美公司產(chǎn)品,安森美芯片采購平臺
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FDMD8900 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號:FDMD8900
  • 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類型:2 N-通道(雙)
  • FET功能:標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源電壓(Vdss):30V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):19A,17A
  • 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):4 毫歐 @ 19A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):35nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):2605pF @ 15V
  • 功率-最大值:2.1W
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:12-PowerWDFN
  • FDMD8900優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購服務(wù)平臺。
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