產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-PowerWDFN
- 技術(shù)參數(shù)：PT11N 30/12 & PT11N 30/12
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FDMS1D2N03DSD 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：FDMS1D2N03DSD
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：PT11N 30/12 & PT11N 30/12
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：PowerTrench?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 N 溝道（雙）非對(duì)稱型
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：19A（Ta），70A（Tc），37A（Ta），164A（Tc）
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：3.25 毫歐 @ 19A，10V，0.97 毫歐 @ 37A，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 320μA，3V @ 1mA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：33nC @ 10V，117nC @ 10V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1410pF @ 15V，4860pF @ 15V
- 功率-最大值：2.1W（Ta），26W（Tc），2.3W（Ta），42W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-PowerWDFN
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