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FDV303N_NB9U008 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類(lèi)別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè),器件封裝:SOT-23
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
  • 豐富的安森美公司產(chǎn)品,安森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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FDV303N_NB9U008 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):FDV303N_NB9U008
  • 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • FET類(lèi)型:N 通道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):25V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):680mA(Ta)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):2.7V,4.5V
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):450 毫歐 @ 500mA,4.5V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):2.3nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值):8V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):350mW(Ta)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類(lèi)型:表面貼裝型
  • 器件封裝:SOT-23
  • FDV303N_NB9U008優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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