產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類(lèi)別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-3P-3，SC-65-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 1200V 30A 186W TO3P
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FGA15N120ANTDTU 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：FGA15N120ANTDTU
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：IGBT 1200V 30A 186W TO3P
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類(lèi)型：NPT 和溝道
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：30A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：45A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，15A
- 功率-最大值：186W
- 開(kāi)關(guān)能量：3mJ（開(kāi)），600μJ（關(guān)）
- 輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：120nC
- 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：15ns/160ns
- 測(cè)試條件：600V，15A，10 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：330ns
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：通孔
- 封裝：TO-3P-3，SC-65-3
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