產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-3P-3，SC-65-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT TRENCH 1250V 30A TO3P
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FGA15S125P 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：FGA15S125P
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：IGBT TRENCH 1250V 30A TO3P
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：最後搶購
- IGBT類型：溝道
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1250V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：30A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：45A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.72V @ 15V，15A
- 功率-最大值：136W
- 開關(guān)能量：-
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：129nC
- 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：-
- 測(cè)試條件：-
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-3P-3，SC-65-3
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