產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-3P-3，SC-65-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 1200V 40A 310W TO3P
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FGA25N120ANDTU 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：FGA25N120ANDTU
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：IGBT 1200V 40A 310W TO3P
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：NPT
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：40A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：75A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：3.2V @ 15V，25A
- 功率-最大值：310W
- 開關(guān)能量：4.8mJ（開），1mJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：200nC
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：60ns/170ns
- 測試條件：600V，25A，10 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時間(trr)：350ns
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-3P-3，SC-65-3
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