產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-3P-3，SC-65-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN
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FGA30T65SHD 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：FGA30T65SHD
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：溝槽型場截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：60A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：90A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，30A
- 功率-最大值：238W
- 開關(guān)能量：598μJ（開），167μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：54.7nC
- 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：14.4ns/52.8ns
- 測試條件：400V，30A，6 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：31.8ns
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-3P-3，SC-65-3
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