產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - IGBT - 模塊，封裝：25PM-AA
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT MODULE 600V 10A 66W 25PMAA
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FMS6G10US60S 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：FMS6G10US60S
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：IGBT MODULE 600V 10A 66W 25PMAA
- 系列：晶體管 - IGBT - 模塊
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：-
- 配置：三相反相器
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：10A
- 功率-最大值：66W
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，10A
- 電流-集電極截止（最大值）：250μA
- 不同?Vce時(shí)輸入電容(Cies)：0.71nF @ 30V
- 輸入：?jiǎn)蜗鄻蚴秸髌?/li>
- NTC熱敏電阻：是
- 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝：25PM-AA
- FMS6G10US60S優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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