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FQB4N90TM 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:D2PAK(TO-263AB)
  • 技術參數:MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK
  • 豐富的安森美公司產品,安森美芯片采購平臺
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FQB4N90TM 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:FQB4N90TM
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:QFET?
  • 零件狀態:停產
  • FET類型:N 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):900V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):4.2A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):3.3 歐姆 @ 2.1A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):30nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1100pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.13W(Ta),140W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:D2PAK(TO-263AB)
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