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H11F1M 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:光隔離器 - 晶體管,光電輸出,封裝:6-DIP(0.300,7.62mm)
  • 技術參數:OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP
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H11F1M 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:H11F1M
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP
  • 系列:光隔離器 - 晶體管,光電輸出
  • 零件狀態:有源
  • 通道數:1
  • 電壓-隔離:7500Vpk
  • 電流傳輸比(最小值):-
  • 電流傳輸比(最大值):-
  • 接通/關斷時間(典型值):45μs,45μs(最大)
  • 上升/下降時間(典型值):-
  • 輸入類型:DC
  • 輸出類型:MOSFET
  • 電壓-輸出(最大值):30V
  • 電流-輸出/通道:-
  • 電壓-正向(Vf)(典型值):1.3V
  • 電流-DC正向(If)(最大值):60mA
  • Vce飽和壓降(最大):-
  • 工作溫度:-40°C ~ 100°C
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:6-DIP(0.300,7.62mm)
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