產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：光隔離器 - 晶體管，光電輸出，封裝：6-DIP（0.300，7.62mm）
- 技術(shù)參數(shù)：OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP
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H11F2M 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：H11F2M
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP
- 系列：光隔離器 - 晶體管，光電輸出
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- 通道數(shù)：1
- 電壓-隔離：7500Vpk
- 電流傳輸比（最小值）：-
- 電流傳輸比（最大值）：-
- 接通/關(guān)斷時間（典型值）：45μs，45μs（最大）
- 上升/下降時間（典型值）：-
- 輸入類型：DC
- 輸出類型：MOSFET
- 電壓-輸出（最大值）：30V
- 電流-輸出/通道：-
- 電壓-正向(Vf)（典型值）：1.3V
- 電流-DC正向(If)（最大值）：60mA
- Vce飽和壓降（最大）：-
- 工作溫度：-40°C ~ 100°C
- 安裝類型：通孔
- 封裝：6-DIP（0.300，7.62mm）
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