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H11G3 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:光隔離器 - 晶體管,光電輸出,封裝:6-DIP(0.300,7.62mm)
  • 技術參數(shù):OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP
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H11G3 技術參數(shù)詳情:
  • 制造商產品型號:H11G3
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP
  • 系列:光隔離器 - 晶體管,光電輸出
  • 零件狀態(tài):停產
  • 通道數(shù):1
  • 電壓-隔離:5300Vrms
  • 電流傳輸比(最小值):200% @ 1mA
  • 電流傳輸比(最大值):-
  • 接通/關斷時間(典型值):5μs,100μs
  • 上升/下降時間(典型值):-
  • 輸入類型:DC
  • 輸出類型:有基極的達林頓晶體管
  • 電壓-輸出(最大值):55V
  • 電流-輸出/通道:-
  • 電壓-正向(Vf)(典型值):1.3V
  • 電流-DC正向(If)(最大值):60mA
  • Vce飽和壓降(最大):1.2V
  • 工作溫度:-55°C ~ 100°C
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:6-DIP(0.300,7.62mm)
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