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HGT1N30N60A4D 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - IGBT - 模塊,封裝:SOT-227-4,miniBLOC
  • 技術參數:IGBT MOD 600V 96A 255W SOT227B
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HGT1N30N60A4D 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:HGT1N30N60A4D
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:IGBT MOD 600V 96A 255W SOT227B
  • 系列:晶體管 - IGBT - 模塊
  • 零件狀態:停產
  • IGBT類型:-
  • 配置:單路
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):96A
  • 功率-最大值:255W
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,30A
  • 電流-集電極截止(最大值):250μA
  • 不同?Vce時輸入電容(Cies):-
  • 輸入:標準
  • NTC熱敏電阻:無
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝:SOT-227-4,miniBLOC
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