產品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-220-3
- 技術參數：IGBT 600V 54A TO220-3
- 豐富的安森美公司產品，安森美芯片采購平臺
- 提供當日發貨、嚴格的質量標準，滿足您的目標價格
點擊下圖下載技術文檔
HGTP12N60A4D 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：HGTP12N60A4D
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：IGBT 600V 54A TO220-3
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產品系列：-
- 零件狀態：最後搶購
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：54A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：96A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，12A
- 功率-最大值：167W
- 開關能量：55μJ（開），50μJ（關）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：78nC
- 25°C時Td（開/關）值：17ns/96ns
- 測試條件：390V，12A，10 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：30ns
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-220-3
- HGTP12N60A4D優勢代理貨源，國內領先的安森美芯片采購服務平臺。
