產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-220-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 14A 60W TO220AB
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HGTP7N60B3D 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：HGTP7N60B3D
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：IGBT 600V 14A 60W TO220AB
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：14A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：56A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，7A
- 功率-最大值：60W
- 開關(guān)能量：160μJ（開），120μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準
- 柵極電荷：23nC
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：26ns/130ns
- 測試條件：480V，7A，50歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時間(trr)：37ns
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-220-3
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