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J111-D26Z 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - JFET,封裝:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線)
  • 技術參數:JFET N-CH 35V 625MW TO92
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J111-D26Z 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:J111-D26Z
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92
  • 系列:晶體管 - JFET
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:N 通道
  • 電壓-擊穿(V(BR)GSS):35V
  • 漏源電壓(Vdss):-
  • 不同Vds(Vgs=0)時電流-漏極(Idss):20mA @ 15V
  • 漏極電流(Id)-最大值:-
  • 不同Id時電壓-截止(VGSoff):3V @ 1μA
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):-
  • 電阻-RDS(On):30 Ohms
  • 功率-最大值:625mW
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線)
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