產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：邏輯 - 柵極和逆變器 - 多功能，可配置，產(chǎn)品封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- 技術(shù)參數(shù)：IC GATE XOR/XNOR ECL 2INP 8-SOIC
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MC10EP08DR2G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：MC10EP08DR2G
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：IC GATE XOR/XNOR ECL 2INP 8-SOIC
- 產(chǎn)品系列：邏輯 - 柵極和逆變器 - 多功能，可配置
- 包裝：卷帶（TR）
- 系列：10EP
- 零件狀態(tài)：有源
- 邏輯類型：異或/異或非門
- 電路數(shù)：1
- 輸入數(shù)：2 輸入（1，1）
- 施密特觸發(fā)器輸入：無
- 輸出類型：差分
- 電流-輸出高、低：-
- 電壓-供電：3V ~ 5.5V
- 工作溫度：-40°C ~ 85°C
- 安裝類型：表面貼裝型
- 產(chǎn)品封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
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