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- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：FET - 陣列，6-SMD
- 技術參數：MOSFET N/P-CH 20V 1.6A/1A MCPH6
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MCH6626-TL-E 技術參數詳情：
- 制造商產品型號: MCH6626-TL-E
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 功能總體簡述: MOSFET N/P-CH 20V 1.6A/1A MCPH6
- 系列: -
- FET 類型: N 和 P 溝道
- FET 功能: 邏輯電平門
- 漏源極電壓（Vdss）: 20V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）: 1.6A，1A
- 不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）: 230 毫歐 @ 800mA，4V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: -
- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 1.4nC @ 4V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 105pF @ 10V
- 功率 - 最大值: 800mW
- 安裝類型: 表面貼裝
- 產品封裝: 6-SMD，扁平引線
- 供應商器件封裝: 6-MCPH
- MCH6626-TL-E優(yōu)勢代理貨源，國內領先的安森美芯片采購服務平臺。
