產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：電源管理IC - 柵極驅(qū)動(dòng)器，產(chǎn)品封裝：39-PowerVFQFN
- 技術(shù)參數(shù)：IC GATE DRVR HALF BRD/LOW PQFN39
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NCP303150MNTWG 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：NCP303150MNTWG
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：IC GATE DRVR HALF BRD/LOW PQFN39
- 產(chǎn)品系列：電源管理IC - 柵極驅(qū)動(dòng)器
- 包裝：卷帶（TR）
- 系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- 驅(qū)動(dòng)配置：半橋，低壓側(cè)
- 通道類型：?jiǎn)温?/li>
- 驅(qū)動(dòng)器數(shù)：2
- 柵極類型：N 溝道 MOSFET
- 電壓-供電：4.5V ~ 5.5V
- 邏輯電壓?-VIL，VIH：0.65V，2.7V
- 電流-峰值輸出（灌入，拉出）：100mA，100mA
- 輸入類型：非反相
- 高壓側(cè)電壓-最大值（自舉）：30V
- 上升/下降時(shí)間（典型值）：17ns，26ns
- 工作溫度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 產(chǎn)品封裝：39-PowerVFQFN
- NCP303150MNTWG優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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