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NCV5106ADR2G 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:電源管理IC - 柵極驅動器,產品封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
  • 技術參數:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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NCV5106ADR2G 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:NCV5106ADR2G
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
  • 產品系列:電源管理IC - 柵極驅動器
  • 包裝:卷帶(TR)
  • 系列:-
  • 零件狀態:有源
  • 驅動配置:半橋
  • 通道類型:同步
  • 驅動器數:2
  • 柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET
  • 電壓-供電:10V ~ 20V
  • 邏輯電壓?-VIL,VIH:0.8V,2.3V
  • 電流-峰值輸出(灌入,拉出):250mA,500mA
  • 輸入類型:反相,非反相
  • 高壓側電壓-最大值(自舉):600V
  • 上升/下降時間(典型值):85ns,35ns
  • 工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 產品封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
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