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NGB8207ABNT4G 圖片
  • 制造廠商：安森美
  • 類別封裝：單路IGBT，D2PAK
  • 技術參數：IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
  • 豐富的安森美公司產品，安森美芯片采購平臺
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NGB8207ABNT4G 技術參數詳情：
  • 制造商產品型號：NGB8207ABNT4G
  • 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
  • 描述：IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
  • 系列：-
  • IGBT 類型：-
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：365V
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：20A
  • Current - Collector Pulsed (Icm)：50A
  • 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.2V @ 3.7V，10A
  • 功率 - 最大值：165W
  • Switching Energy：-
  • 輸入類型：邏輯
  • Gate Charge：-
  • 25°C 時 Td（開/關）值：-
  • Test Condition：-
  • 反向恢復時間 (trr)：-
  • 產品封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 供應商器件封裝：D2PAK
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