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- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：單路IGBT，DPAK-3
- 技術參數：IGBT 430V 15A 115W DPAK
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NGD18N40CLBT4G 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：NGD18N40CLBT4G
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：IGBT 430V 15A 115W DPAK
- 系列：-
- IGBT 類型：-
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：430V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：15A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：50A
- 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.5V @ 4V，15A
- 功率 - 最大值：115W
- Switching Energy：-
- 輸入類型：邏輯
- Gate Charge：-
- 25°C 時 Td（開/關）值：-
- Test Condition：-
- 反向恢復時間 (trr)：-
- 產品封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 安裝類型：表面貼裝
- 供應商器件封裝：DPAK-3
- NGD18N40CLBT4G優勢代理貨源，國內領先的安森美芯片采購服務平臺。
