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- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：IGBT - 單路，TO-252-3，DPak
- 技術參數：IGBT 410V 12A 125W DPAK-3
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NGD8209NT4G 技術參數詳情：
- 制造商產品型號: NGD8209NT4G
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 功能總體簡述: IGBT 410V 12A 125W DPAK-3
- 系列: -
- IGBT 類型: -
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）: 445V
- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）: 12A
- 脈沖電流 - 集電極 (Icm): 30A
- 不同 Vge，Ic 時的 Vce（on）: 2.3V @ 4.5V，10A
- 功率 - 最大值: 94W
- 開關能量: -
- 輸入類型: 邏輯
- 柵極電荷: -
- 25°C 時 Td（開/關）值: -
- 測試條件: -
- 反向恢復時間（trr）: -
- 產品封裝: TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 安裝類型: 表面貼裝
- 供應商器件封裝: DPAK
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