產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-220-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 30A 117W TO220-3
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NGTB15N60EG 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：NGTB15N60EG
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：IGBT 600V 30A 117W TO220-3
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：NPT
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：30A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：120A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.95V @ 15V，15A
- 功率-最大值：117W
- 開關(guān)能量：900μJ（開），300μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：80nC
- 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：78ns/130ns
- 測試條件：400V，15A，22 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：270ns
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-220-3
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