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NGTB20N120LWG 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-247-3
  • 技術參數:IGBT 1200V 40A 192W TO247-3
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NGTB20N120LWG 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:NGTB20N120LWG
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:IGBT 1200V 40A 192W TO247-3
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:-
  • 零件狀態(tài):停產
  • IGBT類型:溝槽型場截止
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):40A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):200A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,20A
  • 功率-最大值:192W
  • 開關能量:3.1mJ(開),700μJ(關)
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:200nC
  • 25°C時Td(開/關)值:86ns/235ns
  • 測試條件:600V,20A,10 歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):-
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-247-3
  • NGTB20N120LWG優(yōu)勢代理貨源,國內領先的安森美芯片采購服務平臺。
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