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- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置，封裝：SOT-963
- 技術參數：TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
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NSBA114TDP6T5G 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：NSBA114TDP6T5G
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
- 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置
- 零件狀態：有源
- 晶體管類型：2 個 PNP 預偏壓式（雙）
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
- 電阻器-基極(R1)：10 千歐
- 電阻器-發射極(R2)：-
- 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：160 @ 5mA，10V
- 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：250mV @ 1mA，10mA
- 電流-集電極截止（最大值）：500nA
- 頻率-躍遷：-
- 功率-最大值：408mW
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：SOT-963
- NSBA114TDP6T5G優勢代理貨源，國內領先的安森美芯片采購服務平臺。
