產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置，封裝：SOT-563，SOT-666
- 技術(shù)參數(shù)：TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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NSBA123EDXV6T1G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：NSBA123EDXV6T1G
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
- 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- 晶體管類型：2 個(gè) PNP 預(yù)偏壓式（雙）
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
- 電阻器-基極(R1)：2.2 千歐
- 電阻器-發(fā)射極(R2)：2.2 千歐
- 不同?Ic、Vce?時(shí)DC電流增益(hFE)（最小值）：8 @ 5mA，10V
- 不同?Ib、Ic時(shí)?Vce飽和壓降（最大值）：250mV @ 5mA，10mA
- 電流-集電極截止（最大值）：500nA
- 頻率-躍遷：-
- 功率-最大值：500mW
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：SOT-563，SOT-666
- NSBA123EDXV6T1G優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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