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熱門產(chǎn)品型號(hào)
產(chǎn)品參考圖片
NSBA123JDP6T5G 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預(yù)偏置,封裝:SOT-963
  • 技術(shù)參數(shù):TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
  • 豐富的安森美公司產(chǎn)品,安森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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NSBA123JDP6T5G 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):NSBA123JDP6T5G
  • 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ONSEMI)
  • 描述:TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
  • 系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預(yù)偏置
  • 零件狀態(tài):有源
  • 晶體管類型:2 個(gè) PNP 預(yù)偏壓式(雙)
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):100mA
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):50V
  • 電阻器-基極(R1):2.2 千歐
  • 電阻器-發(fā)射極(R2):47 千歐
  • 不同?Ic、Vce?時(shí)DC電流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,10V
  • 不同?Ib、Ic時(shí)?Vce飽和壓降(最大值):250mV @ 300μA,10mA
  • 電流-集電極截止(最大值):500nA
  • 頻率-躍遷:-
  • 功率-最大值:408mW
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:SOT-963
  • NSBA123JDP6T5G優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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