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- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列，封裝：SC-74，SOT-457
- 技術參數：60V, 1A DUAL NPN LOW VCE(
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NSV60101DMR6T1G 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：NSV60101DMR6T1G
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：60V, 1A DUAL NPN LOW VCE(
- 系列：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列
- 零件狀態：有源
- 晶體管類型：2 NPN（雙）
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：1A
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：60V
- 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：200mV @ 100mA，1A
- 電流-集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：250 @ 100mA，5V
- 功率-最大值：530mW
- 頻率-躍遷：200MHz
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：SC-74，SOT-457
- NSV60101DMR6T1G優勢代理貨源，國內領先的安森美芯片采購服務平臺。
