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NSVMMBTH10LT1G 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻,封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 技術參數:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
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NSVMMBTH10LT1G 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:NSVMMBTH10LT1G
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
  • 系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
  • 零件狀態:有源
  • 晶體管類型:NPN
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):25V
  • 頻率-躍遷:650MHz
  • 噪聲系數(dB,不同f時的典型值):-
  • 增益:-
  • 功率-最大值:225mW
  • 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):60 @ 4mA,10V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):-
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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