產品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置，封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 技術參數：TRANS 2PNP BRT BIPO SOT363-6
- 豐富的安森美公司產品，安森美芯片采購平臺
- 提供當日發貨、嚴格的質量標準，滿足您的目標價格
點擊下圖下載技術文檔
NSVMUN5133DW1T1G 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：NSVMUN5133DW1T1G
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：TRANS 2PNP BRT BIPO SOT363-6
- 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置
- 零件狀態：有源
- 晶體管類型：2 個 PNP 預偏壓式（雙）
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
- 電阻器-基極(R1)：4.7 千歐
- 電阻器-發射極(R2)：47 千歐
- 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：80 @ 5mA，10V
- 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：250mV @ 300μA，10mA
- 電流-集電極截止（最大值）：500nA
- 頻率-躍遷：-
- 功率-最大值：250mW
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- NSVMUN5133DW1T1G優勢代理貨源，國內領先的安森美芯片采購服務平臺。
