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NTBG020N120SC1 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:D2PAK-7
  • 技術參數:SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
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NTBG020N120SC1 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:NTBG020N120SC1
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術:SiCFET(碳化硅)
  • 漏源電壓(Vdss):1200V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):8.6A(Ta),98A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):20V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):28毫歐 @ 60A,20V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):4.3V @ 20mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):220nC @ 20V
  • Vgs(最大值):+25V,-15V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):2943pF @ 800V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.7W(Ta),468W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:D2PAK-7
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