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產(chǎn)品參考圖片
NTH4L080N120SC1 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:TO-247-4
  • 技術(shù)參數(shù):TRANS SJT N-CH 1200V 29A TO247-4
  • 豐富的安森美公司產(chǎn)品,安森美芯片采購平臺
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NTH4L080N120SC1 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號:NTH4L080N120SC1
  • 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ONSEMI)
  • 描述:TRANS SJT N-CH 1200V 29A TO247-4
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)
  • 漏源電壓(Vdss):1200V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):29A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):20V
  • 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):110 毫歐 @ 20A,20V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):4.3V @ 5mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):56nC @ 20V
  • Vgs(最大值):+25V,-15V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1670pF @ 800V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):170W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 器件封裝:TO-247-4
  • NTH4L080N120SC1優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購服務(wù)平臺。
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