產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363
- 豐富的安森美公司產(chǎn)品，安森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
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NTJD1155LT1G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：NTJD1155LT1G
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 和 P 溝道
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓（Vdss）：8V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：1.3A
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：175 毫歐 @ 1.2A，4.5V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：-
- 功率-最大值：400mW
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- NTJD1155LT1G優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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