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NTLJD2105LTBG 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:6-WDFN
  • 技術參數:MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN
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NTLJD2105LTBG 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:NTLJD2105LTBG
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:-
  • 零件狀態(tài):停產
  • FET類型:N 和 P 溝道
  • FET功能:標準
  • 漏源電壓(Vdss):8V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):2.5A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):50 毫歐 @ 4A,4.5V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):-
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):-
  • 功率-最大值:520mW
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:6-WDFN
  • NTLJD2105LTBG優(yōu)勢代理貨源,國內領先的安森美芯片采購服務平臺。
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