產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠(chǎng)商：安森美
- 類(lèi)別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：6-WDFN（2x2）
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN
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NTLJS1102PTBG 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：NTLJS1102PTBG
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- FET類(lèi)型：P 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：8V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：3.7A（Ta）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.2V，4.5V
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：36 毫歐 @ 6.2A，4.5V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：720mV @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：25nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±6V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1585pF @ 4V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：700mW（Ta）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：表面貼裝型
- 器件封裝：6-WDFN（2x2）
- NTLJS1102PTBG優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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